钽电容故障分析
时间：2017-06-13 作者：91再生 来源：91再生网
钽电容回收器的故障模式的讨论基本包括两方面：标准二氧化锰负极类型和新导电聚合物(CP)类型。标准钽 电容器在正常工作模式下，由于电脉冲和电压水平，使沟道（通道）中电导增加，而导致电击穿。这会导致 随后的热击穿，将电容器击毁。
钽电容回收
在相反模式下，我们已经通报过：在相对低的电压水平下，焦耳热会引起导电增加，从而触发热击穿。 最终导致反馈循环，包括：温度-电导-电流-焦耳热，最终形成电击穿。这两种击穿模式具有随机特征，很 难提前定位。相对于标准钽电容回收器而言，导电聚合物（CP）电容器则显示了稍微不同的电流导电机理。导电 聚合物的介质击穿近似于雪崩击穿和场致发射击穿。是由于两电极之间的引力，电化学衰变，枝状结晶组织 等原因导致的机电崩塌。
然而，也出现了某些负极膜发生自愈现象报告。这可能源于膜蒸发，碳化和再氧化过程。但并非所有的 电容器击穿会导致自愈现象或开路状态。可能也会出现短路情况。钽电容回收我们对于介质击穿的研究意在找出 可以对这种现象加以描述的基本参数系列，及其与最终产品的质量和可靠性之间的关系。基本上，介质击穿 可由一系列的物理过程产生：焦耳热引起电导增加，从而导致热击穿；雪崩击穿和场致发射击穿；两电极之 间的引力，电化学衰变，枝状结晶组织等原因导致的机电崩塌等等。
介质击穿导致绝缘体和两极的击毁，主要由于熔化和蒸发和有时随后发生热逃逸。为掌握钽MIS（金属- 绝缘体-半导体）异晶结构的更多数据和找到与介质击穿之间的关系，我们研究在两中模式下的电流/电压依 赖工作参数（在正常模式下，钽电极被施加正偏压；在相反模式下，钽电极被施加负偏压）。AVX代理商击 穿击毁不仅源于突发的击穿情况，而且由于随后的电流流动，从而使击穿的起源和动力难于解释。
当自愈情况出现时会出现一些特殊现象。在某些情况中，薄弱点和体击穿面积可以减少。在实验室实验 中，热击穿可以被测量，而元件装置不被毁坏；电击穿可以被观测到，而只出现最小的损坏。辅助自愈过程 也可以被推导出；氧元素可从二氧化锰负极中释放出来，允许钽二氧化物的再生或消除电子陷阱（类似于阳 极化处理或钝化过程），使在介质层中的薄弱点减少。
根据报告，导电聚合物材料有两种自愈途径。第一个理论基于蒸发过程。聚合物的熔化和蒸发温度相当 低。如电流错误足以使聚合物加热，则其可蒸发和消除掉其与该处的联系。
自愈的第二个理论则认为当导电聚合物在故障处被加热时，聚合物吸收氧元素，从而形成一个高电阻帽 ，封住了电流向该故障处的通路，与二氧化锰MnO2的自愈方式大致相同。钽电容回收介质层的击穿过程并不十分 确定。我们的薄氧化膜实验表明电击穿并不在施加电场的定义值精确（高）时出现。击穿过程是随机过程的 结果，最终的击穿个案，多数情况下都为独立事件。
