钽电容回收最新发展
时间：2018-11-22 作者：91再生 来源：91再生网
高级钽粉和高效率封装的结合使钽电容领先于替代技术。例如，目前的钽电容能够以0402外壳尺寸在4V充电电压下提供22?F容值。在电压范围的另一端，我们可找到采用单个封装，在50V充电电压下提供47?F容值的钽电容。
传统钽电容的阴极系统使用二氧化锰(MnO2)材料。这种半导体材料提供自愈机制(这可带来长期稳定性)且相对便宜。但其富氧配方在高热的极端环境中容易导致起火。自上世纪90年代中期以来，导电聚合物技术趋于成熟，从而与MnO2产品形成互补。由于导电率显着高于MnO2，导电聚合物可降低ESR。这一进展与消除敏感应用中的起火危险相结合，推动了相关企业对这种技术的投资。
钽电容设计的进步
制造商提供种类广泛的钽电容产品系列，它们针对各种具体特征进行优化，并瞄准不同的应用和细分市场。这些不同的产品系列提供的优化包括更低的ESR、更小的尺寸、高可靠性(面向军用、汽车和医疗应用)、更小的直流漏电流、更低的ESL和更高的工作温度。本文侧重其中两个领域：更低的ESR和更小的尺寸。
减小ESR一直是钽电容设计的重要研究领域之一。钽粉的选择和生产期间涂敷阴极材料时所用的工艺对ESR有显着影响。但是，对于给定的额定值(容值、电压、尺寸)，这些因素主要为设计约束并在目前的最先进器件上得到基本解决。使ESR减小的两个最主要因素是：阴极材料用导电聚合物替代MnO2，引线框架材料从铁镍合金改为铜(Cu)。
传统钽电容的ESR主要源于阴极材料MnO2。MnO2的导电率约为0.1S/cm。相比之下，导电聚合物(如聚3,4-乙烯二氧噻吩)的导电率在100S/cm范围内。导电率的这一增加直接转换为ESR的显着减小。
不同额定值下的ESR-频率曲线显示了钽电容器采用聚合物阴极系统的优势。通过直接比较MnO2和聚合物设计在A外壳6.3V/47μF额定值条件下的ESR-频率曲线，可以看出在100kHz频率下聚合物设计使ESR的减小幅度多达一个数量级。
改善钽电容设计体积效率(容值密度)的两个主要因素是钽粉的演变和封装的改进。
电容设计中使用的钽粉的质量因数是：(容值?电压)/质量，简写为CV/g。大规模生产中使用的钽粉的演变如图4所示。CV/g的这些增加与更小的颗粒尺寸和粉末纯度改善有关。在电容设计中使用这些材料本身就是一个复杂的研究领域，需要大量研发投资。
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